第178章快闪记忆体良品率攻坚战

可晶圆边缘区域，蚀刻液的流速更快。

蚀刻深度就超標了。

直接导致边缘区域的浮柵结构损坏，坏块率飆升。

这就是为什么你们的良率始终卡在80%。

因为每一片晶圆，边缘区域的20%，几乎都是坏的。”

一句话，点醒了梦中人。

李建明猛地拍了一下自己的额头，脸上露出了恍然大悟的神情。

他一直盯著晶片设计和光刻环节。

却忽略了蚀刻工艺的细微参数变化，对整片晶圆的均匀性影响。

“那我们立刻调整蚀刻时间，把参数改回来！”张诚立刻说道。

“別急。”王明德摆了摆手：

“改回原来的参数，蚀刻均匀性是好了，可浮柵的电荷保持能力就下降了。

晶片的使用寿命会受影响。

我们的方案是，调整蚀刻机的喷淋参数，降低晶圆边缘区域的蚀刻液流速。

同时把蚀刻时间拆成两段。

中间加一次晶圆旋转。

保证整片晶圆的蚀刻均匀性。

另外，晶圆清洗环节，我们也发现了问题。你们用的是传统的rca清洗工艺，颗粒去除率只有90%。

晶圆表面的微小颗粒，也是导致良率下降的原因。

我们可以把启文半导体自研的兆声波清洗工艺用上去，颗粒去除率能提升到99.9%。

进一步降低坏块率。”

王明德的方案，一针见血，既解决了蚀刻均匀性的问题。

又不影响晶片的性能，还补上了清洗环节的短板。

李建明看著王明德，心里满是感激，立刻拍板：

“就按王总的方案来。

我们现在就去车间，调整设备参数，立刻做一轮试生產！”

一群人立刻行动起来，凌晨四点的晶圆厂车间，依旧灯火通明。

王明德带著製造团队，调整蚀刻机的喷淋参数和晶圆旋转程序，优化清洗工艺。

李建明带著设计团队，同步微调浮柵的设计参数，配合工艺优化。

光刻团队的工程师，也同步调整了曝光剂量，配合蚀刻工艺的变化。

所有人都憋著一股劲，没有一个人喊累，没有一个人退缩。

早上八点，第一片经过工艺优化的晶圆，完成了全部生產工序，送到了测试实验室。

所有人都围在测试台旁，屏住呼吸，看著屏幕上的测试进度条一点点往前走。

当进度条走到100%的那一刻，良率数据跳了出来。

84.8%。

“成了！我们成了！”

实验室里瞬间爆发出一阵欢呼，熬了好几个通宵的工程师们，激动地互相拥抱，有人甚至红了眼眶。

84.8%，无限接近85%的目標，比之前的80%，整整提升了近5个百分点！

“再做一轮优化。

把光刻的线宽均匀性再提一点，我们冲85%！”

李建明的声音里，带著压抑不住的激动。

大手一挥，团队立刻又投入到了新一轮的微调中。

当天下午，经过第二轮工艺优化的晶圆，测试结果出来了。

良率稳定在了85.3%，完全达成了陈总定下的目標！

財务团队也同步算出了成本变化。